FinFET, auch Fin-Feldeffekttransistor genannt, ist ein Typ eines nichtplanaren Transistors oder "3D" -Transistors, der beim Entwurf moderner Prozessoren verwendet wird. Wie in früheren, planaren Konstruktionen ist es auf einem SOI-Substrat (Silicon on Insulator) aufgebaut. FinFET-Konstruktionen verwenden jedoch auch einen leitenden Kanal, der über das Isolator-Niveau steigt, wodurch eine dünne Siliziumstruktur in Form einer Rippe entsteht, die als Gate-Elektrode bezeichnet wird. Diese rippenförmige Elektrode ermöglicht, dass mehrere Gates an einem einzelnen Transistor arbeiten.

Diese Art des Multi-Gate-Prozesses erweitert das Moore-Gesetz und ermöglicht Halbleiterherstellern die Entwicklung von CPUs und Speichermodulen, die kleiner sind, schneller arbeiten und weniger Energie verbrauchen. 2012 startete Intel die FinFET-CPU-Technologie mit 22-nm-Ivy-Bridge-Prozessoren.

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